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英诺赛科或将填补我国高端半导体器件产业【新资讯】

发布时间:2019-10-18 16:32:42 阅读: 来源:PA6厂家

6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩,总投资60亿,建成后将成为长三角地区领先的集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体企业,填补我国高端半导体器件的产业空白,预计到2023年年产值将突破100亿,并为当地创造超过2000个就业岗位。

据介绍,英诺赛科由海归创业团队创立,是集合了来自美国、韩国、台湾地区等地知名企业的众多精英并由招银国际、吴江产业投资等国内知名PE机构投资组成的高科技企业,在第三代宽禁带半导体全产业链各个环节拥有多年研发与产业化经验,掌握多项核心专利技术。继八英寸硅基氮化镓项目于2017年底在珠海市成功通线以来,英诺赛科获得半导体行业和投资界的广泛认可和关注。英诺赛科苏州项目将借助长三角地区半导体产业集群效应和政策优势,与上下游先进制造企业协同发展,填补我国高端半导体器件的产业空白,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。加强与国内外战略合作伙伴的共赢发展。

开工仪式上,吴江区副区长吴琦表示,积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设并为海归创业人士创造有利的政策环境,共同推进高端芯片的国产化。英诺赛科CEO孙在亨先生表示,将充分发挥团队的国际资源整合能力,积极为吴江区引进先进技术和国际高端半导体人才,用世界一流的标准将英诺赛科打造成为国际领先的半导体品牌企业。

英诺赛科苏州项目的开工,恰逢全球后摩尔时代的开端。作为后摩尔时代的主要技术代表,宽禁带半导体器件以其更大的禁带宽度、更强的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,硅基氮化镓工艺及制造在成本和单片集成的突破也会带来革命性的变化,展现出相对传统硅功率半导体器件的全面性能优势和大规模产业应用优势。无疑,英诺赛科苏州项目的建成和发展,将大大助长我国后摩尔时代的竞争实力。

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